5秒后页面跳转
BAS56 PDF预览

BAS56

更新时间: 2024-11-17 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 42K
描述
High-speed double diode

BAS56 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.26外壳连接:CATHODE
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.006 µs反向测试电压:60 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BAS56 数据手册

 浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BAS56的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS56  
High-speed double diode  
1996 Sep 10  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  

与BAS56相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS56,215 ETC

获取价格

DIODE ARRAY GP 60V 200MA SOT143B
BAS56,235 ETC

获取价格

DIODE ARRAY GP 60V 200MA SOT143B
BAS56/T1 ETC

获取价格

DIODE HIGH SPEED
BAS56/T3 NXP

获取价格

DIODE 0.2 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode
BAS56_10 CENTRAL

获取价格

SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODES
BAS56212 NXP

获取价格

DIODE 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS56BK CENTRAL

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon,
BAS56BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
BAS56LEADFREE CENTRAL

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4
BAS56-T NXP

获取价格

DIODE 0.2 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode