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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS56TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
|
| BAS56TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
|
| BAS581-02V | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes, Single |
|
| BAS581-02V-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), |
|
| BAS581-02V-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAS581-02V-V-G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAS581-02V-V-G_15 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAS581-02V-V-G-08 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAS616 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAS616-T | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
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