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BAS581-02V-V-G-08

更新时间： 2024-11-18 12:54:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 信号二极管小信号肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Schottky Diode

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BAS581-02V-V-G-08 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.52Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.37 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：0.2 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS581-02V-V-G-08 数据手册

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BAS581-02V-V-G  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Schottky Diode  
FEATURES  
• This diode features very low turn-on voltage  
and fast switching  
1
2
• Space saving SOD-523 package  
22321  
• Material categorization: For definitions of  
compliance  
please  
see  
www.vishay.com/doc?99912  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-523  
Weight: approx. 1.4 mg  
Molding compound flammability rating: UL 94 V-0  
Terminals: high temperature soldering guaranteed:  
260 °C/10 S at terminals  
Packaging codes/options:  
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box  
PARTS TABLE  
PART  
ORDERING CODE  
INTERNAL CONSTRUCTION  
Single diode  
TYPE MARKING  
REMARKS  
BAS581-02V-V-G  
BAS581-02V-V-G-08  
.Z  
Tape and reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Repetitive peak reserve voltage  
= working peak reserve voltage  
VRRM  
40  
V
Forward continuous current  
Surge forward current  
IF  
30  
mA  
mA  
IFSM  
200  
THERMAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
RthJA  
Tj  
VALUE  
UNIT  
K/W  
°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
Junction temperature  
680  
125  
Storage temperature range  
Tstg  
- 65 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
R = 100 μA  
R = 30 V  
IF = 1 mA  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
Reserve breakdown voltage  
Leakage current  
I
V(BR)  
IR  
40  
V
0.5  
370  
2
μA  
Forward voltage  
VF  
mV  
pF  
Diode capacitance  
V
R = 1 V, f = 1 MHz  
CD  
Rev. 1.1, 24-Apr-12  
Document Number: 82392  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123

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