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BAS70

更新时间： 2024-02-02 02:24:17
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FRONTIER 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 168K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, SMD, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.53
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS70 数据手册

 浏览型号BAS70的Datasheet PDF文件第2页 
Frontier Electronics Corp.  
667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065  
TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989  
E-mail: frontiersales@frontierusa.com  
Web: http://www.frontierusa.com  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
BAS70 / 04 / 05 / 06  
A
SOT-23  
FEATURES  
z LOW TURN-ON VOLTAGE  
z FAST SWITCHING  
z PN JUNCTION GUARD RING FOR TRANSIENT AND  
ESD PROTECTION  
3
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Min  
0.30  
1.20  
2.10  
0.85  
0.45  
1.70  
2.70  
0.00  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.60  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.30  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
1
D
H
2
MECHANICAL DATA  
G
E
z CASE: SOT-23, PLASTIC  
z TERMINALS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202,  
METHOD 208  
z WEIGHT: 0.008 GRAM  
z POLARITY: SEE DIAGRAM  
M
K
M
All Dimensions in mm  
J
L
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
BAS70  
BAS70-04  
BAS70-05  
BAS70-06  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
70  
UNITS  
V
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE  
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE  
DC BLOCKING VOLTAGE  
VRRM  
VRWM  
VR  
FORWARD CONTINUOUS CURRENT ( NOTE 1 )  
IF  
100  
300  
600  
mA  
mA  
mA  
REPETITIVE PEAK FORWARD CURRENT ( NOTE 1 )  
IFRM  
IFSM  
FORWARD SURGE CURRENT  
@ tp < 1.0s ( NOTE1 )  
POWER DISSIPATION（NOTE 1）  
Pd  
200  
mW  
THERMAL RESISTANCE. JUNCTION TO AMBIENT AIR  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE RANGE  
RθJA  
500  
K / W  
TJ, TSTG  
-65 TO +125  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ TA=25℃ UNLESS OTHERWISE SPECIFIED  
CHARACTERISTICS  
REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE  
SYMBOL  
V(BR)R  
Min.  
Max.  
-
Unit  
V
Test Condition  
IRS = 100μ A  
70  
Tp < 300μ s,duty cycle < 2%  
@IF = 1 mA  
@IF = 15 mA  
FORWARD VOLTAGE  
VF  
410  
1000  
mV  
-
tp < 300μ s,duty cycle < 2%  
@VR = 50V  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
IR  
CJ  
100  
2
nA  
-
-
pF  
VR=1.0 , f=1.0MHZ  
JUNCTION CAPACITANCE  
NOTE: 1. DIODE ON FIBERGLASS SUBSTRATE  
BAS70 / 04 / 05 / 06  
Page: 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS70- INFINEON

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