是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.18 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.41 V | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.6 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.2 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 70 V | 最大反向恢复时间: | 0.005 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS70/E9 | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, TO-236AB | |
BAS70/T1 | NXP |
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DIODE 0.07 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode | |
BAS70?4 | ETC |
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Surface Mount Schottky Barrier Diodes | |
BAS70?5 | ETC |
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Surface Mount Schottky Barrier Diodes | |
BAS70?6 | ETC |
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Surface Mount Schottky Barrier Diodes | |
BAS70_ | NXP |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
BAS70_06 | NXP |
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General-purpose Schottky diodes | |
BAS70_07 | INFINEON |
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HiRel Silicon Schottky Diode | |
BAS70_07 | TSC |
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200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode | |
BAS70_08 | DIODES |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |