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BAS70/04/05/06

更新时间： 2024-01-10 21:52:22

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Schottky barrier diodes

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BAS70/04/05/06 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-32 Plastic-Encapsulate DIODE

BAS70 SERIES

SCHOTTKY DIODE

SOT— 23

FEATURES

Power dissipation

P_D:

Collector current

I_F

200

mW（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Collector-base voltage

V_R: 70

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

BAS70 Marking: 73

BAS70-04 Marking: 74

BAS70-05 Marking: 75

BAS70-06 Marking: 76

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

(BR) R

I_R= 10µA

V_R=50V

I_R

100

I_F=1mA

I_F=15mA

410

1000

Forward voltage

V_F

Diode capacitance

C_D

V_R=0V

f=1MHz

I_F=10mA through I =10mA

Reveres recovery time

t_rr

to I =1mA

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