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BAS70

更新时间： 2024-01-10 23:41:34

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	263K
描述
SWITCHING DIODE

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BAS70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SMD, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.41 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.07 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS70 数据手册

BAS70/-04/-05/-06

SWITCHING DIODE

SOT-23

FEATURES

Low Turn-on voltage

Fast switching

Also available in lead free version

BAS70 Marking: 73

BAS70-04 Marking: 74

BAS70-05 Marking: 75

BAS70-06 Marking: 76

MAXIMUM RATINGS @T_A=25℃

Value

Units

Symbol

Parameter

V_R

I_F

DC Voltage

℃

Forward Continuous Current

Power dissipation

200

P_D

T_J

150

Junction Temperature

Storage Temperature

-55-150

℃

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_{(BR) R}

I_R

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

I_R= 10µA

V_R=50V

Reverse voltage

leakage current

120

I_F=1mA

I_F=15mA

410

1000

Forward

Diode

voltage

capacitance

V_F

C_D

V_R=0V

f=1MHz

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1xI_R,

Reveres recovery time

t_rr

R_L=100Ω

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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