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BAS678212

更新时间: 2024-11-18 21:10:47
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
DIODE 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS678212 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS678212 数据手册

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