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BAS70

更新时间： 2024-02-01 21:21:31
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鲁光 - LGE 肖特基二极管
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2页 159K
描述
200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode

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BAS70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, SMD, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.53
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS70 数据手册

 浏览型号BAS70的Datasheet PDF文件第2页 
BAS70/-04/05/06  
200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode  
SOT-23  
0.020(0.51)  
0.015(0.37)  
0.055(1.40) 0.098(2.50)  
0.047(1.19) 0.083(2.10)  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low turn-on voltage  
0.041(1.05)  
Fast switching  
0.080(2.05)  
0.070(1.78)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
0.047(0.89)  
PN junction guard Ring for transient  
0.120(3.05)  
0.104(2.65)  
Mechanical Data  
0.043(1.10)  
0.035(0.89)  
ꢀ
Case: SOT-23, Molded plastic  
Weight: 0.008 grams  
ꢀ
0.007(0.178)  
0.003(0.076)  
0.006(0.15)  
0.001(0.013)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
BAS70Marking:73  
BAS70-04Marking:74  
BAS70-05Marking:75  
BAS70-06Marking:76  
Maximum Ratings TA=25 oC unless otherwise specified  
Type Number  
Symbol  
BAS70  
Units  
V
RRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRWM  
70  
V
VR  
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
49  
70  
V
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
IF  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
100  
200  
625  
mA  
mW  
K/W  
oC  
oC  
IFSM  
@ t ≦1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
Pd  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
(Note 1)  
R
θJA  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to + 125  
-65 to + 150  
TJ  
TSTG  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
Min  
Max  
Units  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2), IR=10uA  
70  
V
(BR)  
_
Reverse Leakage Current tp<300us, VR=50V  
100  
410  
1000  
2.0  
nA  
IR  
Forward Voltage Drop  
tp=300us, IF=1.0mA  
tp<300us, IF=15mA  
_
mV  
V
F
_
_
Junction Capacitance VR=0, f=1.0MHz  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
pF  
nS  
Cj  
trr  
5.0  
Notes:  
1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.  
2. Test Period < 3000uS.  
3. Reverse Recovery Test Conditions: IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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