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BAS56-T

更新时间： 2024-11-18 21:08:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	257K
描述
DIODE 0.2 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode

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BAS56-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.29	外壳连接：	CATHODE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	2
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.006 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAS56-T 数据手册

BAS56

High-speed double diode

Rev. 3 — 29 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Two high-speed switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in a

small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The diodes are not

connected.

1.2 Features and benefits

High switching speed: t_rr≤ 6 ns

Reverse voltage: V_R≤ 60 V

Repetitive peak reverse voltage: V_RRM≤ 60 V

Repetitive peak forward current: I_FRM≤ 600 mA

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic package

1.3 Applications

High-speed switching in e.g. surface-mounted circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

200

100

Unit

[1][2]

[3]

I_F

forward current

I_R

V_R

t_rr

reverse current

V_R= 60 V

reverse voltage

reverse recovery time

[1] Single diode loaded.

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB).

[3] When switched from I_F= 400 mA to I_R= 400 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 40 mA.

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BAS56TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon,
BAS56TR13	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon,
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