5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.006 µs | 反向测试电压： | 60 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS56TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| BAS56TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| BAS56TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
|
| BAS56TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
|
| BAS581-02V | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes, Single |
|
| BAS581-02V-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), |
|
| BAS581-02V-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAS581-02V-V-G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAS581-02V-V-G_15 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAS581-02V-V-G-08 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
