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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.006 µs | 反向测试电压： | 60 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS56BKLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| BAS56LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 |
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| BAS56-T | NXP |
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DIODE 0.2 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-4, Signal Diode |
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| BAS56T/R | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-143 |
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| BAS56TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
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| BAS56TR13 | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
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| BAS56TR13LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| BAS56TRL | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
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| BAS56TRL13 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
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| BAS581-02V | VISHAY |
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Small Signal Schottky Diodes, Single |
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