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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 19 weeks |
| 风险等级： | 1.6 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.325 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS521V | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 300 V;Forward Current Io : 250 mA;Max Surge Current : 4.5 A;Forward V |
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| BAS521V-T | RECTRON |
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Rectifier Diode, |
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| BAS521WT | SEMTECH |
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High Voltage Switching Diode |
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| BAS52WT | SWST |
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肖特基二极管 |
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| BAS54 | COMCHIP |
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Surface Mount Schottky Diode |
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| BAS55 | TYSEMI |
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Small plastic SMD package High switching speed: max. 6ns |
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| BAS55 | NXP |
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High-speed diode |
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| BAS55 | KEXIN |
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High-speed diode |
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| BAS55212 | NXP |
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DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAS55215 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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