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BAS31-D87Z

更新时间： 2024-11-02 11:13:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 高压光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 220K
描述
高压通用型二极管

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BAS31-D87Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOT-23, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：0.74配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：3 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAS31-D87Z 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
BAS31  
3
2
1
SOT−23  
CASE 318BM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
(Note 1, 2)  
Symbol  
Parameter  
Ratings Unit  
MARKING DIAGRAM  
V
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
120  
200  
1.0  
V
mA  
A
3
RRM  
I
F(AV)  
L21M  
I
Non−Repetitive Pulse Width = 1.0 second  
Peak Forward  
FSM  
1
2
Pulse Width = 1.0 microsecond  
2.0  
Surge Current  
L21 = Specific Device Code  
= Date Code  
M
T
Storage Temperature Range  
−55 to  
+150  
°C  
°C  
STG  
T
J
Operating Junction Temperature  
150  
CONNECTION DIAGRAM  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
3
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low− duty−cycle operations.  
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings Unit  
ORDERING INFORMATION  
P
D
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
350  
357  
°C/W  
†
Device  
BAS31  
Package  
Reel  
Shipping  
R
q
JA  
SOT−23 3L  
(Pb−Free,  
7”  
3000 / Tape  
& Reel  
Halide Free)  
BAS31−D87Z  
13” 10000 / Tape  
& Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Symbol  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Conditions  
Min  
120  
−
Max  
−
Unit  
V
V
R
I = 1.0 mA  
R
V
F
Forward Voltage  
I = 10 mA  
F
750  
840  
900  
1.00  
1.25  
100  
100  
35  
mV  
mV  
mV  
V
I = 50 mA  
F
−
I = 100 mA  
F
−
I = 200 mA  
F
−
I = 400 mA  
F
−
V
I
R
Reverse Current  
V
R
V
R
V
R
= 90 V  
−
nA  
mA  
pF  
ns  
= 90 V, T = 150°C  
−
A
C
Total Capacitance  
= 0 V, f = 1.0 MHz  
−
T
t
rr  
Reverse Recovery Time  
I = I = 30 mA, I = 3.0 mA, R = 100 W  
−
50  
F
R
RR  
L
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 3  
BAS31/D  
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS31L99Z TI

获取价格

 		0.2A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
BAS31S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
BAS31-T NXP

获取价格

 		DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31T/R NXP

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 		DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31T/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 0.25A, 90V V(RRM)
BAS31TRL YAGEO

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BAS31TRL13 YAGEO

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon
BAS321 NXP

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 		General purpose diode
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 		General purpose diodeProduction
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 		SOD-323

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