AUIRFR2607Z

更新时间： 2024-01-29 10:56:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HEXFETÂ® Power MOSFET

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AUIRFR2607Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	96 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AUIRFR2607Z 数据手册

PD - 96323

AUTOMOTIVE MOSFET

AUIRFR2607Z

HEXFET^®Power MOSFET

Features

V_(BR)DSS

75V

AdvancedProcessTechnology

R_DS(on)typ.

max.

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

FastSwitching

17.6m

Ω

22m

45A

Ω

RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax

Lead-Free,RoHSCompliant

AutomotiveQualified*

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

42A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this

HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C

junction operating temperature, fast switching speed and

improved repetitive avalanche rating . These features

combine to make this design an extremely efficient and

reliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsandawide

varietyofotherapplications.

D-Pak

AUIRFR2607Z

Gate

Drain

Source

AbsoluteMaximumRatings

Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. These

arestressratingsonly;andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedin

thespecificationsisnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevice

reliability.Thethermalresistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.

Ambienttemperature(T_A)is25°C, unlessotherwisespecified.

I_D@ T_C= 25°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 100°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 25°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

I_DM

180

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

110

Power Dissipation

W/°C

0.72

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.38

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/

www.irf.com

08/24/10

12 3 4 5 6 7...13

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AUIRFR2607Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR2607Z	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2607ZPBF	INFINEON	功能相似	AUTOMOTIVE MOSFET
STD45NF75T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 75V - 0.018 OHM -40A DPAK STripFETTMII POWER MOSFET

与AUIRFR2607Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AUIRFR2607ZTR	INFINEON	获取价格	HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2607ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRFR2905Z	INFINEON	获取价格	HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2905Z	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology
AUIRFR2905ZSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2905ZSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2905ZTR	INFINEON	获取价格	HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2905ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR3504	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR3504TR	INFINEON	获取价格	HEXFET? Power MOSFET

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