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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF3710ZSTRL
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AUIRF3710ZSTRL

更新时间： 2024-01-20 02:34:17
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 359K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF3710ZSTRL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-XSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：59 A最大漏极电流 (ID)：59 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRF3710ZSTRL 数据手册

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PD - 97470  
AUIRF3710Z  
AUIRF3710ZS  
AUTOMOTIVE GRADE  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
O
O
O
O
O
Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 18mΩ  
O
O
G
ID = 59A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional fea-  
turesofthisdesign area175°Cjunctionoperating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
AUIRF3710ZS  
TO-220AB  
AUIRF3710Z  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. Thesearestressratingsonly;  
and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not implied. Exposure  
to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation  
ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
59  
Units  
A
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
@ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
42  
D
240  
160  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.1  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
EAS  
170  
200  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
°C  
T
J
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.92  
–––  
40  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
3/19/10  
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AUIRF3710ZSTRL 替代型号

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