5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF3710ZS
AUIRF3710ZS PDF预览

AUIRF3710ZS

更新时间： 2024-11-25 12:49:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 359K
描述
HEXFET® Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRF3710ZS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：0.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：59 A
最大漏极电流 (ID)：59 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF3710ZS 数据手册

 浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRF3710ZS的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97470  
AUIRF3710Z  
AUIRF3710ZS  
AUTOMOTIVE GRADE  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
O
O
O
O
O
Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 18mΩ  
O
O
G
ID = 59A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional fea-  
turesofthisdesign area175°Cjunctionoperating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
AUIRF3710ZS  
TO-220AB  
AUIRF3710Z  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. Thesearestressratingsonly;  
and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not implied. Exposure  
to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation  
ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
59  
Units  
A
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
@ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
42  
D
240  
160  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.1  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
EAS  
170  
200  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
°C  
T
J
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.92  
–––  
40  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
3/19/10  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

AUIRF3710ZS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3710ZSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRF3710ZSTRL INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRF3710ZSPBF INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET

与AUIRF3710ZS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF3710ZSTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3710ZSTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3805 INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET
AUIRF3805L INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET
AUIRF3805L-7P INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3805S INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET
AUIRF3805S-7P INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3805S-7PTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3805S-7PTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF3805S-7TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与AUIRF3710ZS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证