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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF90DSK60T3G
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APTGF90DSK60T3G

更新时间： 2024-11-25 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 204K
描述
Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module

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APTGF90DSK60T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN针数：25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：110 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X11元件数量：2
端子数量：11最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：416 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：180 ns标称接通时间 (ton)：36 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

APTGF90DSK60T3G 数据手册

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APTGF90DSK60T3G  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
Dual Buck chopper  
NPT IGBT Power Module  
Application  
13 14  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Q1  
Q2  
18  
19  
11  
10  
Features  
•
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 100 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
Symmetrical design  
22  
23  
7
8
CR1  
CR2  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
29  
15  
30  
31  
R1  
32  
16  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
29  
16  
30  
15  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal  
for easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
•
•
•
Low profile  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Each leg can be easily paralleled to achieve a  
single buck of twice the current capability  
RoHS compliant  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
•
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
110  
90  
200  
±20  
416  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C  
200A @ 600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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