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APTGL120TDU20TPG

更新时间： 2024-11-21 19:56:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES

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APTGL120TDU20TPG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：140 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：3最高工作温度：175 °C
最大功率耗散 (Abs)：517 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：2.15 VBase Number Matches：1

APTGL120TDU20TPG 数据手册

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APTGL120TDU20TPG  
Triple Dual Common Source  
Trench + Field Stop IGBT4  
Power module  
VCES = 1200V  
IC = 120A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT 4 Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low leakage current  
Low switching losses  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
Symmetrical design  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
C1  
C3  
C5  
Benefits  
G1  
E1  
G3  
E3  
G5  
E5  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
E2  
E4  
E6  
G2  
G4  
G6  
C2  
C4  
C6  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
1200  
140  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
120  
200  
±20  
517  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
200A @ 1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGL120TDU20TPG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGL180A1202G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES
APTGL180A120T3AG MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL180A120T3AG_11 MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL180A120T3AG-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL240TL120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL30H120T1G MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
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 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL325DA120D3G MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power Module

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