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APTGL30X120T3G

更新时间： 2024-11-24 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 电源电路双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 201K
描述
3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module

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APTGL30X120T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：45 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大功率耗散 (Abs)：170 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：2.25 VBase Number Matches：1

APTGL30X120T3G 数据手册

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APTGL30X120T3G  
3 Phase bridge  
Trench + Field Stop IGBT4  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 30A @ Tc = 80°C  
15  
16  
19  
31  
Application  
•
Motor control  
23  
25  
29  
30  
14  
Features  
20  
•
Trench + Field Stop IGBT 4 Technology  
18  
22  
28  
R1  
-
-
-
Low voltage drop  
Low leakage current  
Low switching losses  
Low tail current  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
8
7
4
3
11  
-
13  
-
-
-
10  
12  
2
RBSOA and SCSOA rated  
It is recommended to connect a decoupling capacitor  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
between pins 31 & 2 to reduce switching overvoltages, if DC  
Power is connected between pins 15, 16 & 12.  
Pins 15 & 16 must be shorted together.  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
29  
30  
16  
15  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal  
for easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
•
•
Low profile  
RoHS compliant  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
45  
30  
50  
±20  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
V
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
170  
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
50A @ 1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGL30X120T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGL325A120D3G MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL325A120D3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL325DA120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL325SK120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL40H120T1G MICROSEMI

获取价格

 		Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL40H120T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL40X120T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL40X120T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL475A120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL475A120D3G-Module MICROCHIP

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 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri

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