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APTGF90DU60TG

更新时间： 2024-11-21 04:32:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 289K
描述
Dual common source NPT IGBT Power Module

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APTGF90DU60TG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12针数：12
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：110 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X12
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：12
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：416 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：210 ns标称接通时间 (ton)：51 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

APTGF90DU60TG 数据手册

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APTGF90DU60TG  
VCES = 600V  
Dual common source  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Features  
C1  
C2  
•
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT®  
Q1  
Q2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
G1  
E1  
G2  
E2  
Switching frequency up to 100 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
E
NTC1  
NTC2  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
•
Benefits  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
G2  
C2  
C2  
•
•
•
•
•
E2  
C1  
E
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
•
•
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
RoHS compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
110  
90  
315  
±20  
416  
V
Tc = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C  
200A @ 600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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