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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF90TDU60PG
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APTGF90TDU60PG

更新时间： 2024-11-21 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 287K
描述
Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module

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APTGF90TDU60PG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
针数：21Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：110 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X21
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：6端子数量：21
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：416 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：210 ns标称接通时间 (ton)：51 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

APTGF90TDU60PG 数据手册

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APTGF90TDU60PG  
Triple dual Common Source  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
C1  
C3  
C5  
G1  
G3  
G5  
Features  
E1  
E2  
E3  
E4  
E5  
E6  
•
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT®  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 100 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G6  
G2  
G4  
C2  
C4  
C6  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
Benefits  
•
High level of integration  
Outstanding performance at high frequency  
operation  
C 1  
C 3  
C 5  
G1  
E1  
G3  
E3  
G5  
E5  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
•
•
•
Very low (12mm) profile  
C 2  
C 4  
C 6  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
•
RoHS compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
110  
90  
315  
±20  
416  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C  
200A @ 600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGF90TDU60PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGF90VDA60T3G MICROSEMI

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 		Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90X60E3 MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33
APTGF90X60E3 ADPOW

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