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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 130 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X33 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 33 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 180 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 36 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF90X60E3G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGF90X60TE3 | ADPOW |
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3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90X60TE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGF90X60TE3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGL120DA120T1G | MICROSEMI |
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Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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| APTGL120SK120T1G | MICROSEMI |
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Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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| APTGL120TA120TPG | MICROSEMI |
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Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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| APTGL120TA120TPG-Module | MICROCHIP |
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IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGL120TDU120TPG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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| APTGL120TDU120TPG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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