5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > APTGF90X60E3
APTGF90X60E3 PDF预览

APTGF90X60E3

更新时间： 2024-11-21 20:32:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 210K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33

阅读下载

中文翻译

获取价格

APTGF90X60E3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-33针数：33
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：130 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X33
JESD-609代码：e0元件数量：6
端子数量：33最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：180 ns
标称接通时间 (ton)：36 nsBase Number Matches：1

APTGF90X60E3 数据手册

 浏览型号APTGF90X60E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APTGF90X60E3的Datasheet PDF文件第3页 
APTGF90X60E3  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
3 Phase bridge  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT®  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
Benefits  
19  
17  
15  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
20  
21  
14  
13  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
130  
90  
230  
±20  
430  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
200A@520V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

中文翻译

下载PDF

与APTGF90X60E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGF90X60E3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33
APTGF90X60TE3 ADPOW

获取价格

 		3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60TE3 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGF90X60TE3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGL120DA120T1G MICROSEMI

获取价格

 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120SK120T1G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TA120TPG MICROSEMI

获取价格

 		Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TA120TPG-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL120TDU120TPG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TDU120TPG-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri

与APTGF90X60E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证