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APTGF90X60TE3 PDF预览

APTGF90X60TE3

更新时间： 2024-11-21 21:21:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 220K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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APTGF90X60TE3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-35针数：35
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：130 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X35
JESD-609代码：e0元件数量：6
端子数量：35最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：180 ns
标称接通时间 (ton)：36 nsBase Number Matches：1

APTGF90X60TE3 数据手册

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APTGF90X60TE3  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
3 Phase bridge  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT®  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
19  
18  
17  
16 15  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
20  
21  
14  
13  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
130  
90  
230  
±20  
430  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
200A@520V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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与APTGF90X60TE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGF90X60TE3G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGL120DA120T1G MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120SK120T1G MICROSEMI

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 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TA120TPG MICROSEMI

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 		Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TA120TPG-Module MICROCHIP

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 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL120TDU120TPG MICROSEMI

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 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL120TDU120TPG-Module MICROCHIP

获取价格

 		IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGL120TDU20TPG MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES
APTGL180A1202G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES
APTGL180A120T3AG MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module

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