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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 140 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X23 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 23 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 517 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 430 ns | 标称接通时间 (ton)： | 185 ns |
| VCEsat-Max： | 2.15 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGL120TA120TPG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGL120TDU120TPG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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| APTGL120TDU120TPG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGL120TDU20TPG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGL180A1202G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGL180A120T3AG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
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| APTGL180A120T3AG_11 | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
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| APTGL180A120T3AG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
|
| APTGL240TL120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 Very Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
|
| APTGL30H120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
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