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APTGF90SK60T3AG

更新时间： 2024-11-25 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体电源电路晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 203K
描述
Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module

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APTGF90SK60T3AG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
针数：25Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：130 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X8
元件数量：1端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：180 ns
标称接通时间 (ton)：36 nsBase Number Matches：1

APTGF90SK60T3AG 数据手册

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APTGF90SK60T3AG  
Buck chopper  
NPT IGBT Power Module  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 100°C  
Application  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Features  
•
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 100 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
•
•
Very low stray inductance  
Kelvin emitter for easy drive  
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
AlN substrate for improved thermal performance  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
15  
Benefits  
31  
32  
14  
13  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
Pins 29/30/31/32 must be shorted together  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Pins 26/27/28/22/23/25 must be shorted together  
to achieve a phase leg  
Pins 16/18/19/20 must be shorted together  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
130  
90  
200  
±20  
520  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
200A @ 480V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 5  
www.microsemi.com  
12345

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