是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-264MA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.14 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 3200 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (ID): | 65 A |
最大漏源导通电阻: | 0.08 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 260 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
APT60M80L2VFR | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
APT60M80L2VRG | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT60M80L2VR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | |
APT60M80L2VR_04 | ADPOW |
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POWER MOS V㈢ MOSFET | |
APT60M80L2VRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
APT60M90BFN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 63A I(D) | |
APT60M90DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT60M90JN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
APT60N60BCS | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET | |
APT60N60BCS | MICROSEMI |
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Super Junction MOSFET | |
APT60N60BCSG | MICROSEMI |
获取价格 |
Super Junction MOSFET | |
APT60N60BCSG | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |