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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | D3PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.28 | 其他特性： | AVALANCHE ENERGY RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1950 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 230 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT60N60SCSG | MICROSEMI |
类似代替  |
Super Junction MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT60N60SCSG | MICROSEMI |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT60N60SCSG | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT60N90JC3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT60S20B | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| APT60S20B2CT | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B2CT | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B2CTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60A, 200V V(RRM), Silicon, B2, TMAX-3 |
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| APT60S20BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, |
|
| APT60S20S | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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