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APT65GP60B2

更新时间： 2024-02-14 12:49:12
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
POWER MOS 7 IGBT

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APT65GP60B2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：3.57其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：219 ns标称接通时间 (ton)：84 ns

APT65GP60B2 数据手册

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APT65GP60B2  
600V  
®
POWER MOS 7 IGBT  
T-MaxTM  
The POWER MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.  
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,  
highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency  
switchmode power supplies.  
G
C
E
• Low Conduction Loss  
• Low Gate Charge  
• 100 kHz operation @ 400V, 54A  
• 50 kHz operation @ 400V, 76A  
• SSOA rated  
C
E
• Ultrafast Tail Current shutoff  
G
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
UNIT  
Symbol  
VCES  
VGE  
APT65GP60B2  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
±20  
±30  
Volts  
VGEM  
IC1  
Gate-Emitter Voltage Transient  
7
100  
96  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Amps  
IC2  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
1
ICM  
250  
Pulsed Collector Current  
@ TC = 25°C  
SSOA  
PD  
Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
250A@600V  
833  
Watts  
°C  
Total Power Dissipation  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
3
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1000µA)  
VGE(TH) Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 2.5mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 65A, Tj = 25°C)  
4.5  
2.2  
2.1  
6
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 65A, Tj = 125°C)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
1000  
5000  
±100  
µA  
nA  
ICES  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
IGES  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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