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APT63H60L PDF预览

APT63H60L

更新时间： 2024-01-29 14:14:58
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 261K
描述
Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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APT63H60L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1845 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：63 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：245 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT63H60L 数据手册

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APT63H60B2  
APT63H60L  
600V, 63A, 0.11Ω Max, t ≤250ns  
rr  
N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET  
Power MOS 8™ is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.  
T-Max®  
TO-264  
This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for  
maximum reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through much reduced  
t , soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and  
rr  
a greatly reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching  
rss iss  
APT63H60B2  
APT63H60L  
loss. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help  
control di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when  
switching at very high frequency.  
D
S
Single die FREDFET  
G
TYPICAL APPLICATIONS  
FEATURES  
• ZVS phase shifted and other full bridge  
• Fast switching with low EMI  
• Half bridge  
• UPS  
• Very Low t for maximum reliability  
rr  
• Ultra low C  
for improved noise immunity  
rss  
• Welding  
• Low gate charge  
• Solar inverters  
• Telecom rectifiers  
• Avalanche energy rated  
• RoHS compliant  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
Unit  
Ratings  
63  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 100°C  
40  
A
Pulsed Drain Current 1  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
245  
±30  
1845  
33  
V
mJ  
A
Gate-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy 2  
Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive  
Thermal and Mechanical Characteristics  
Symbol Characteristic  
Min  
Typ  
Max  
1135  
0.11  
Unit  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
W
RθJC  
Junction to Case Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
RθCS  
0.11  
Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)  
TJ,TSTG  
TL  
-55  
150  
300  
oz  
g
0.22  
6.2  
WT  
Package Weight  
in·lbf  
N·m  
10  
Torque  
Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M3 screw  
1.1  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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