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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1940 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 156 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| APT60S20B | ADPOW | HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B | MICROSEMI | HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B2CT | ADPOW | HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B2CT | MICROSEMI | HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT60S20B2CTG | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60A, 200V V(RRM), Silicon, B2, TMAX-3 |
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| APT60S20BG | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, |
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