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APT60S20BG

更新时间： 2024-09-16 20:04:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		超快软恢复二极管高压超快速软恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	2062K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, 2 PIN

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APT60S20BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.22
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	JESD-609代码：	e1
最大非重复峰值正向电流：	600 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	75 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.055 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

APT60S20BG 数据手册

1- Cathode

2- Anode

D³PAK

APT60S20B(G) 200V 75A

Back of Case -Cathode

APT60S20S(G) 200V 75A

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE

PRODUCT APPLICATIONS

PRODUCT FEATURES

PRODUCT BENEFITS

• Parallel Diode

• Ultrafast Recovery Times

• Low Losses

-Switchmode Power Supply

-Inverters

• Free Wheeling Diode

-Motor Controllers

-Converters

• Snubber Diode

• Soft Recovery Characteristics

• Low Noise Switching

• Cooler Operation

• Popular TO-247 Package or

Surface Mount D³PAK Package

• Low Forward Voltage

• Higher Reliability Systems

• Uninterruptible Power Supply (UPS)

• 48 Volt Output Rectifiers

• High Speed Rectifiers

• High Blocking Voltage

• Low Leakage Current

• Increased System Power

Density

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Symbol Characteristic / Test Conditions

APT60S20B_S(G)

UNIT

V_R

Maximum D.C. Reverse Voltage

V_RRM

Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Maximum Average Forward Current (T_C= 123°C, Duty Cycle = 0.5)

RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)

Non-Repetitive Forward Surge Current (T_J= 45°C, 8.3ms)

Operating and StorageTemperature Range

Lead Temperature for 10 Sec.

200

Volts

V_RWM

I_F(AV)

I_F(RMS)

I_FSM

208

Amps

600

T_J,T_STG

-55 to 150

300

°C

T_L

E_VAL

Avalanche Energy (2A, 30mH)

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

MIN

TYP

.83

.98

.72

MAX

UNIT

I_F= 60A

.90

V_F

I_F= 120A

Forward Voltage

Volts

I_F= 60A, T_J= 125°C

V_R= 200V

I_RM

C_T

Maximum Reverse Leakage Current

Junction Capacitance, V_R= 200V

V_R= 200V, T_J= 125°C

300

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT60S20B	MICROSEMI	完全替代	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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