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APT60M80L2VFRG

更新时间： 2024-01-26 19:21:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN

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APT60M80L2VFRG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264MA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.14
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT60M80L2VFRG 数据手册

Typical Performance Curves

APT60M80L2VFR

GateVoltage

DrainCurrent

10%

90%

GateVoltage

T 125°C

t_d(off)

t_d(on)

90%

DrainVoltage

t_r

t_f

10%

DrainVoltage

DrainCurrent

SwitchingEnergy

Figure19,Turn-offSwitchingWaveformsandDefinitions

Figure18,Turn-onSwitchingWaveformsandDefinitions

APT60DF60

V_DS

I_D

V_DD

D.U.T.

Figure 20, Inductive Switching Test Circuit

TO-264MAX^TM(L2VFR)PackageOutline

4.60 (.181)

5.21 (.205)

19.51 (.768)

20.50 (.807)

1.80 (.071)

2.01 (.079)

5.79 (.228)

6.20 (.244)

25.48 (1.003)

26.49 (1.043)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

19.81 (.780)

21.39 (.842)

Gate

Drain

Source

0.48 (.019)

0.84 (.033)

2.59 (.102)

3.00 (.118)

0.76 (.030)

1.30 (.051)

2.79 (.110)

3.18 (.125)

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

Dimensions in Millimeters and (Inches)

APT’sproductsarecoveredbyoneormoreofU.S.patents4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522

5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058andforeignpatents. USandForeignpatentspending. AllRightsReserved.

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