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APT60M80L2VR

更新时间： 2024-02-10 11:43:53

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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APT60M80L2VR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264MA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.12
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT60M80L2VR 数据手册

APT60M80L2VR

600V 65A 0.080W

POWER MOS V^®

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

TO-264

Max

• TO-264 MAX Package

• FasterSwitching

• LowerLeakage

• 100% Avalanche Tested

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT60M80L2VR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

260

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

830

Watts

W/°C

P_D

6.64

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3200

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

600

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.080

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 5mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT60M80L2VR_04	ADPOW	POWER MOS V㈢ MOSFET	获取价格
APT60M80L2VRG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
APT60M90BFN	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)DSS \| 63A I(D)	获取价格
APT60M90DN	ADPOW	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
APT60M90JN	ADPOW	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	获取价格
APT60N60BCS	ADPOW	Super Junction MOSFET	获取价格

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