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APT60M80L2VFRG PDF预览

APT60M80L2VFRG

更新时间： 2024-01-28 01:18:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN

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APT60M80L2VFRG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-264MA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.14
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：65 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT60M80L2VFRG 数据手册

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DYNAMIC CHARACTERISTICS  
APT60M80L2VFR  
Symbol  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
MIN  
TYP  
MAX  
Characteristic  
UNIT  
TestConditions  
V
= 0V  
Input Capacitance  
13300  
1610  
GS  
V
= 25V  
pF  
Output Capacitance  
DS  
f = 1 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
700  
590  
50  
3
V
= 10V  
Total Gate Charge  
GS  
V
= 300V  
Qgs  
nC  
ns  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain ("Miller") Charge  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
DD  
I
= 65A @ 25°C  
D
Qgd  
310  
14  
24  
RESISTIVESWITCHING  
td(on)  
tr  
V
= 15V  
GS  
V
= 300V  
DD  
td(off)  
70  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
I
= 65A @ 25°C  
D
tf  
R
= 0.6Ω  
31  
G
INDUCTIVESWITCHING@25°C  
6
Eon  
Eoff  
1880  
2830  
3100  
Turn-on Switching Energy  
V
= 400V, V = 15V  
GS  
DD  
I
Turn-off Switching Energy  
= 65A, R = 5Ω  
D
G
µJ  
INDUCTIVESWITCHING@125°C  
6
Eon  
Eoff  
Turn-on Switching Energy  
V
= 400V, V = 15V  
GS  
DD  
Turn-off Switching Energy  
I
= 65A, R = 5Ω  
3345  
D
G
SOURCE-DRAINDIODERATINGSANDCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
65  
UNIT  
IS  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Amps  
1
ISM  
Pulsed Source Current  
Diode Forward Voltage  
(Body Diode)  
280  
1.3  
15  
2
VSD  
Volts  
V/ns  
(VGS = 0V, IS = -65A)  
dv  
/
dv  
5
Peak Diode Recovery  
/
dt  
dt  
Reverse Recovery Time  
(IS = -65A, di/dt = 100A/µs)  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
300  
600  
trr  
ns  
µC  
Reverse Recovery Charge  
(IS = -65A, di/dt = 100A/µs)  
2.3  
7
Qrr  
Peak Recovery Current  
(IS = -65A, di/dt = 100A/µs)  
16  
32  
IRRM  
Amps  
THERMALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic  
MIN  
TYP  
MAX  
0.15  
40  
UNIT  
Junction to Case  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction to Ambient  
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction  
temperature  
2 Pulse Test: Pulse width < 380 µs, Duty Cycle < 2%  
4 Starting T = +25°C, L = 1.51mH, R = 25Ω, Peak I = 65A  
j
G
L
dv  
5
/
numbers reflect the limitations of the test circuit rather than the  
di  
dt  
device itself.  
I
≤ -I 65A  
/
≤ 700A/µs  
V
R ≤ 600V T ≤ 150°C  
J
dt  
S
D
3 See MIL-STD-750 Method 3471  
6
Eon includes diode reverse recovery. See figures 18, 20.  
APTReservestherighttochange,withoutnotice,thespecificationsandinformationcontainedherein.  
0.16  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.9  
0.7  
0.5  
0.3  
Note:  
t
1
t
2
t
1
Duty Factor D =  
Peak T = P x Z  
/
t
SINGLEPULSE  
0.02  
0
0.1  
2
+ T  
J
DM θJC  
C
0.05  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1.0  
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)  
FIGURE1,MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvsPULSEDURATION  
12345

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