APT60N60BCSG

更新时间： 2024-01-23 17:29:24

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ADPOW		晶体晶体管
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5页	403K
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Super Junction MOSFET

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APT60N60BCSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1950 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT60N60BCSG 数据手册

600V 60A 0.045Ω

APT60N60BCS

APT60N60SCS

APT60N60BCSG* APT60N60SCSG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Super Junction MOSFET

(B)

COOLMOS

Power Semiconductors

D³PAK

• Ultra Low R_DS(ON)

(S)

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q

• Avalanche Energy Rated

• Extreme

Rated

• Popular TO-247 or Surface Mount D³Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

APT60N60B_SCS(G)

UNIT

V_DSS

Volts

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Amps

I_DM

Pulsed Drain Current

230

V_GS

Volts

Watts

W/°C

Gate-Source Voltage Continuous

±30

431

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

P_D

Linear Derating Factor

3.45

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

MOSFET dv/dt Ruggedness (V_DS= 480V)

-55 to 150

260

°C

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Avalanche Current

Amps

Repetitive Avalanche Energy

1950

Single Pulse Avalanche Energy

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 44A)

0.045 Ohms

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V, T_C= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 3mA)

µA

250

I_DSS

I_GSS

±100

3.9

V_GS(th)

2.1

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

"COOLMOS™ comprise a new family of transistors developed by Inﬁneon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Inﬁneon Technologies AG."

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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APT60N60SCS	MICROSEMI	Super Junction MOSFET	获取价格
APT60N60SCSG	MICROSEMI	Super Junction MOSFET	获取价格
APT60N60SCSG	ADPOW	Super Junction MOSFET	获取价格
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