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APT60M80L2VFRG

更新时间: 2024-01-17 00:29:32
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN

APT60M80L2VFRG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-264MA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.14
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):3200 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):65 A
最大漏源导通电阻:0.08 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):260 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

APT60M80L2VFRG 数据手册

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Typical Performance Curves  
APT60M80L2VFR  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
6.5V  
6V  
15 &10V  
RC MODEL  
0.0456  
Junction  
temp. (°C)  
5.5V  
0.0272F  
0.493F  
Power  
(watts)  
60  
5V  
40  
0.104  
4.5V  
4V  
20  
0
Case temperature. (°C)  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
V
,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
DS  
FIGURE2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL  
FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS  
1.4  
200  
NORMALIZED TO  
V
> I (ON) x  
250µSEC. PULSE TEST  
@ <0.5 % DUTY CYCLE  
R
(ON)MAX.  
DS  
DS  
D
V
= 10V  
@
I = 32.5A  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
GS  
D
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
V
=10V  
GS  
V
=20V  
GS  
60  
T
= +125°C  
J
40  
0.9  
0.8  
T
= -55°C  
7
J
20  
0
T
= +25°C  
3
J
0
1
2
4
5
6
8
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
V
,GATE-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
I ,DRAINCURRENT(AMPERES)  
GS  
D
FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS  
FIGURE5,R (ON)vsDRAINCURRENT  
DS  
1.15  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
1.10  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-50 -25  
0
25  
50 75 100 125 150  
T ,CASETEMPERATURE(°C)  
FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE  
T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)  
FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE  
C
J
2.5  
1.2  
I
= 32.5A  
= 10V  
D
V
GS  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
-50 -25  
0
25 50  
75 100 125 150  
-50 -25  
0
25  
50  
75 100 125 150  
T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)  
T ,CASETEMPERATURE(°C)  
J
C
FIGURE8,ON-RESISTANCEvs.TEMPERATURE  
FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE  

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