Datasheet > APT60M80L2VFR

APT60M80L2VFR

更新时间： 2024-02-10 01:13:10

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT60M80L2VFR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264MA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.14
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A
最大漏极电流 (ID)：	65 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	833 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT60M80L2VFR 数据手册

APT60M80L2VFR

600V 65A 0.080Ω

POWER MOS V^®FREDFET

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

L2VFR

TO-264

Max

• TO-264 MAX Package

• Avalanche Energy Rated

• Faster Switching

• Lower Leakage

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT60M80L2VFR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

260

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

Watts

W/°C

833

P_D

6.67

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3200

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 32.5A)

0.080

250

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 480V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 5mA)

I_DSS

µA

1000

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

下载PDF

与APT60M80L2VFR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT60M80L2VFRG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
APT60M80L2VR	ADPOW	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	获取价格
APT60M80L2VR_04	ADPOW	POWER MOS V㈢ MOSFET	获取价格
APT60M80L2VRG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
APT60M90BFN	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)DSS \| 63A I(D)	获取价格
APT60M90DN	ADPOW	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT60M80L2VFR

APT60M80L2VFR 技术参数

APT60M80L2VFR 数据手册

与APT60M80L2VFR相关器件

与APT60M80L2VFR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT60M80L2VFR

APT60M80L2VFR 技术参数

APT60M80L2VFR 数据手册

与APT60M80L2VFR相关器件

与APT60M80L2VFR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？