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APT40N60JCU3 PDF预览

APT40N60JCU3

更新时间： 2024-01-05 03:26:52
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 490K
描述
ISOTOP Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module

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APT40N60JCU3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT40N60JCU3 数据手册

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APT40N60JCU3  
ISOTOP® Buck chopper  
Super Junction  
VDSS = 600V  
RDSon = 70mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 40A @ Tc = 25°C  
MOSFET Power Module  
D
Application  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Features  
G
•
S
-
Ultra low RDSon  
-
-
-
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
•
•
•
ISOTOP® Package (SOT-227)  
Very low stray inductance  
High level of integration  
A
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Stable temperature behavior  
A
S
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
RoHS Compliant  
D
G
ISOTOP  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
600  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
40  
30  
ID  
Continuous Drain Current  
A
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
120  
±20  
70  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
290  
IAR  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
20  
1
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
1800  
30  
IFAV  
IFRMS  
Maximum Average Forward Current  
Duty cycle=0.5  
A
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)  
39  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 8  
www.microsemi.com  
12345678

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与APT40N60JCU3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT40N60JCU3-Module MICROCHIP

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 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APT40N60LCF MICROSEMI

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 		Super Junction FREDFET
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 		Super Junction FREDFET
APT40N60LCFE3 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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