APT42F50S

更新时间： 2024-11-30 04:01:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	405K
描述
N-Channel FREDFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT42F50S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	930 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	135 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT42F50S 数据手册

APT42F50B

APT42F50S

600V, 42A, 0.14Ω Max, t , ≤250ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

D³PAK

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent niose immunity and low switching loss. The

rss iss

APT42F50B

APT42F50S

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

135

±30

930

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

624

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.20

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT42F50S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT43F60B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43F60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43GA90B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90BD30	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43M60B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60B2_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT44F80B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT44F80L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET

与APT42F50S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT42F50S

APT42F50S 技术参数

APT42F50S 数据手册

与APT42F50S相关器件

与APT42F50S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT42F50S

APT42F50S 技术参数

APT42F50S 数据手册

与APT42F50S相关器件

与APT42F50S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？