Datasheet > APT44GA60B

APT44GA60B

更新时间： 2024-11-18 06:37:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	217K
描述
High Speed PT IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT44GA60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	78 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	337 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	208 ns	标称接通时间 (ton)：	29 ns
Base Number Matches：	1

APT44GA60B 数据手册

APT44GA60B

APT44GA60S

600V

High Speed PT IGBT

POWER MOS 8^®is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low E_offis achieved

APT44GA60S

through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced E_off

D³PAK

V_CE(ON)tradeoff results in superior efﬁciency compared to other IGBT technologies. Low

gate charge and a greatly reduced ratio of C_res/C_iesprovide excellent noise immunity, short

delay times and simple gate drive. The intrinsic chip gate resistance and capacitance of the

poly-silicone gate structure help control di/dt during switching, resulting in low EMI, even

when switching at high frequency.

APT44GA60B

Single die IGBT

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• Fast switching with low EMI

• Very Low E_offfor maximum efﬁciency

• Ultra low C_resfor improved noise immunity

• Low conduction loss

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Half bridge

• High power PFC boost

• Welding

• Low gate charge

• UPS, solar, and other inverters

• High frequency, high efﬁciency industrial

• Increased intrinsic gate resistance for low EMI

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Ratings

Unit

Collector Emitter Voltage

600

V_ces

I_C1

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

Pulsed Collector Current ¹

I_C2

I_CM

130

V_GE

Gate-Emitter Voltage ²

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

337

SSOA

T_J, T_STG

T_L

130A @ 600V

-55 to 150

°C

Lead Temperature for Soldering: 0.063" from Case for 10 Seconds

300

Static Characteristics

Symbol Parameter

T = 25°C unless otherwise speciﬁed

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_BR(CES)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_GE= 0V, I_C= 1.0mA

600

T_J= 25°C

T_J= 125°C

V_GE=V_CE, I_C= 1mA

2.0

1.9

4.5

2.5

_GE= 15V,

V_CE(on)

V_GE(th)

I_CES

Collector-Emitter On Voltage

I_C= 26A

Gate Emitter Threshold Voltage

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leakage Current

T_J= 25°C

250

V_CE= 600V,

V_GE= 0V

V_GS= ±30V

μA

T_J= 125°C

2500

±100

I_GES

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

.37

Unit

°C/W

R_θJC

W_T

Junction to Case Thermal Resistance

Package Weight

5.9

Torque

Mounting Torque (TO-247 Package), 4-40 or M3 screw

in·lbf

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与APT44GA60B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT44GA60BD30	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT44GA60BD30C	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI
APT44GA60S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT44GA60SD30	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT44GA60SD30C	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3P
APT4509EN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT45-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| CHIP
APT4510DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| CHIP
APT4510EN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT4510FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| F-PACK SIP

与APT44GA60B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT44GA60B

APT44GA60B 技术参数

APT44GA60B 数据手册

与APT44GA60B相关器件

与APT44GA60B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT44GA60B

APT44GA60B 技术参数

APT44GA60B 数据手册

与APT44GA60B相关器件

与APT44GA60B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？