5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 2.26 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1980 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 44 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 173 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT44F80L | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
|
| APT44GA60B | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60BD30 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60BD30C | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI |
|
| APT44GA60S | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60SD30 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60SD30C | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3P |
|
| APT4509EN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
|
| APT45-101DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | CHIP |
|
| APT4510DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 50A I(D) | CHIP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
