Datasheet > APT43F60B2

APT43F60B2

更新时间： 2024-11-30 06:37:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	117K
描述
N-Channel FREDFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT43F60B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT43F60B2 数据手册

APT43F60B2

APT43F60L

600V, 45A, 0.15Ω Max, t ≤270ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

T-Max^®

TO-264

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

APT43F60B2

APT43F60L

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

for improved noise immunity

rss

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

160

±±0

1200

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

780

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.16

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

±00

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M± screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT43F60B2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT43F60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43GA90B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90BD30	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43M60B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60B2_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT44F80B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT44F80L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT44GA60B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT

与APT43F60B2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT43F60B2

APT43F60B2 技术参数

APT43F60B2 数据手册

与APT43F60B2相关器件

与APT43F60B2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT43F60B2

APT43F60B2 技术参数

APT43F60B2 数据手册

与APT43F60B2相关器件

与APT43F60B2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？