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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 1200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT43M60B2_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT43M60L | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT44F80B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
|
| APT44F80L | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT44GA60B | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60BD30 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT44GA60BD30C | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLI |
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| APT44GA60S | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT44GA60SD30 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT44GA60SD30C | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3P |
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