APT42F50B

更新时间： 2024-11-29 04:01:19

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美高森美 - MICROSEMI		/
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N-Channel FREDFET

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APT42F50B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.68
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	930 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	135 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT42F50B 数据手册

APT42F50B

APT42F50S

600V, 42A, 0.14Ω Max, t , ≤250ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

D³PAK

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent niose immunity and low switching loss. The

rss iss

APT42F50B

APT42F50S

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

135

±30

930

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

624

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.20

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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APT42F50B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT5015BVFRG	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
STW23NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.162 Î©, 17 A TO-220, TO-22

与APT42F50B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT42F50B_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT42F50S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43F60B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43F60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT43GA90B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90BD30	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43GA90S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT43M60B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60B2_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT43M60L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET

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