APT40N60LCF

更新时间： 2024-02-16 01:39:48

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Super Junction FREDFET

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APT40N60LCF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	417 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT40N60LCF 数据手册

600V 40A 0.110Ω

APT40N60B2CF

APT40N60LCF

APT40N60B2CFG* APT40N60LCFG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Super Junction FREDFET

COOLMOS

T-Max^TM

Power Semiconductors

TO-264

• Ultra Low R

DS(ON)

• Intrinsic Fast-Recovery Body Diode

• Extreme Low Reverse Recovery Charge

• Ideal For ZVS Applications

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q

• Avalanche Energy Rated

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

• Extreme

Rated

Unless stated otherwise, Microsemi discrete FREDFETs contain a single FREDFET die. This device is made with two

parallel FREDFET die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

APT40N60B2CF(G)_LCF(G)

UNIT

V_DSS

Volts

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

I_D

Amps

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

Volts

Watts

W/°C

Gate-Source Voltage Continuous

±30

417

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

P_D

Linear Derating Factor

3.33

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 480V, I_D= 40A, T_J= 125°C)

-55 to 150

260

°C

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Avalanche Current

Amps

Repetitive Avalanche Energy

690

Single Pulse Avalanche Energy

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 500µA)

Volts

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 20A)

0.110 Ohms

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V, T_C= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2mA)

4.2

µA

3400

I_DSS

I_GSS

±100

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

"COOLMOS™ comprise a new family of transistors developed by Inﬁneon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Inﬁneon Technologies AG."

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