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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 54 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 347 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 220 ns | 标称接通时间 (ton)： | 41 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT25GT120BRDLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2 | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2G | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GT120BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GT120BRG | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120SR | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 |
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| APT25GT120SRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3 |
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| APT25M100J | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET |
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| APT25M100J_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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