Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT26GU30B

APT26GU30B

更新时间： 2024-11-13 08:33:19

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	165K
描述
POWER MOS 7 IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT26GU30B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	47 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	170 ns	标称接通时间 (ton)：	25 ns
Base Number Matches：	1

APT26GU30B 数据手册

TYPICALPERFORMANCECURVES

APT26GU30B

300V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT26GU30B

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

300

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

85A @ 300V

187

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

300

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 13A, T_j= 25°C)

4.5

1.5

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 13A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与APT26GU30B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT26GU30K	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT26GU30K	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3
APT26GU30KG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3
APT26GU30SA	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT26GU30SA	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D
APT26GU30SAG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D
APT26M100JCU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module
APT26M100JCU2-Module	MICROCHIP	获取价格	MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APT26M100JCU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper dio
APT26M100JCU3-Module	MICROCHIP	获取价格	MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery

与APT26GU30B相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT26GU30B

APT26GU30B 技术参数

APT26GU30B 数据手册

与APT26GU30B相关器件

与APT26GU30B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT26GU30B

APT26GU30B 技术参数

APT26GU30B 数据手册

与APT26GU30B相关器件

与APT26GU30B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？