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APT26GU30SA

更新时间： 2024-09-25 08:33:19

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
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6页	171K
描述
POWER MOS 7 IGBT

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APT26GU30SA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	47 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	170 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

APT26GU30SA 数据手册

TYPICALPERFORMANCECURVES

APT26GU30K_SA

APT26GU30K

APT26GU30SA

300V

TO-220

POWER MOS 7 IGBT

D²PAK

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT26GU30K_SA

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

300

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

85A @ 300V

187

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

300

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 13A, T_j= 25°C)

4.5

1.5

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 13A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT26GU30SAG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D
APT26M100JCU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module
APT26M100JCU2-Module	MICROCHIP	获取价格	MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APT26M100JCU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper dio
APT26M100JCU3-Module	MICROCHIP	获取价格	MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APT27	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR
APT27GA90BD15	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT27GA90K	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT27GA90SD15	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
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